[发明专利]三维存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010195139.1 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111370421B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 吴林春;张坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/10 | 分类号： | H10B43/10;H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供一种三维存储器及其制备方法。三维存储器包括：衬底；外延层，所述外延层设于所述衬底上；堆叠结构，所述堆叠结构包括多个层叠于所述外延层上的绝缘层/栅极层交叠层；多排沟道结构，每排所述沟道结构包括多个间隔排列的NAND串，每个所述NAND串贯穿所述堆叠结构和所述外延层；栅缝隙孔结构，所述栅缝隙孔结构位于任意相邻两排所述沟道结构之间并贯穿所述堆叠结构，且部分位于所述外延层。本申请解决了现有的三维存储器的外延层在制作工艺中容易形成空隙，影响三维存储器的电性能的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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