[发明专利]一种适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构

摘要

本发明适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构，在异质结PECVD载板基体上并排设置、平行分布若干凹槽，每个凹槽通过斜面或者弧形面部位载放硅片，凹槽底部不与硅片接触，硅片与载板接触面积小，减少由于摩擦造成的硅片性能损失，提高异质结电池的转换效率；两侧斜面或者弧形面部位设置若干导气槽，或者在凹槽底部设置若干导气孔，便于取放硅片，防止取放过程中发生碎片，结构简单紧凑，操作方便，稳定可靠；经实践验证，采用本发明适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构制备出的HJT电池,平均光电转换效率较常规载板提高0.2%。