[发明专利]超薄含氧氮硅薄膜的制备方法及其在钝化接触电池中的应用

摘要

本发明公开了超薄含氧氮硅薄膜的制备方法，方法是1)将硅片表面清洗干净；2)在PECVD中，通入NH3或N2或其他含氮源但是不含氧源的气氛，并打开等离子体，解离通入的气氛，并使硅片表面氮化；通过调节温度、等离子体功率、压力、气体流量等参数调节表面氮的浓度和含氮层的深度；3)将表面已氮化的硅片进行氧化处理，从而形成氧氮硅层材料；4)接着，对表面氧氮硅层再进行一次PECVD表面氮化处理，形成氮氧氮硅层，氮氧氮硅层的厚度在5nm以下；5)在表面制备p型硅薄膜层。采用本发明的方法可使氮元素尽量富集于表面位置和近硅片界面位置，从而使氮氧氮硅界面材料层用于p型隧穿氧化硅钝化接触结构，可以减少硼对界面的破坏，提升钝化效果；该材料用于n型同样有效，可以减少磷对界面层的破坏。