[发明专利]铜基纳米结构体、其制备方法、透明导电膜及电子装置有效
| 申请号： | 202010201288.4 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111715888B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 吴嘉名;谭诗圻 | 申请（专利权）人： | 香港科技大学 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;B22F1/054;B22F1/145;H01B1/02;H01B13/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 高钊;王静 |
| 地址： | 中国香港*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备铜基纳米结构体的方法，包括下列步骤：(I)在溶剂中混合碱金属氢氧化物、络合剂和铜源物质，以得到混合物溶液，其中所述铜源物质在溶剂中难以离子化；以及(II)向所述混合物溶液中加入还原剂，以还原生成铜基纳米结构体。本发明还提供了铜基纳米结构体、透明导电膜以及一种电子装置。根据本发明，能够得到杂质离子含量很低的铜基纳米结构体，从而改善其稳定性等，由此得到导电性等提高的透明导电膜以及一种电子装置。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 制备 方法 透明 导电 电子 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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