[发明专利]一种金属衬底发光器件晶圆的分离方法在审
| 申请号： | 202010201857.5 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111370369A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 龚平;吴旗召 | 申请（专利权）人： | 西安唐晶量子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710119 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种金属衬底发光器件晶圆的分离方法，包括：提供一金属衬底，衬底正面通过金属连接层连接有发光器件阵列，在金属衬底背面形成辅助图形，激光束在衬底背面聚焦，并在辅助图形引导下对衬底背面进行烧蚀，在衬底正面沿着发光阵列的间隙进行劈裂，使得发光器件分离。由于激光在背面切割，正面发光器件受激光影响较小，所以能够降低由激光切割带来的良率损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 衬底 发光 器件 分离 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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