[发明专利]半导体器件以及驱动半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202010201893.1 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111863064A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 横山佳巧;薮内诚 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及半导体器件以及驱动半导体器件的方法，其目的是为具有大寄生电阻或大负载容量的布线提供能够提高在远离驱动器的位置处的布线的电压的升高或降低速度的技术。半导体器件包括：第一布线，具有第一部、第二部、在第一部和第二部之间提供的第三部；连接到第三部的多个存储器单元；具有栅极和连接到第二部的漏极的场效应晶体管以及与第一布线并联提供的第二布线。第一布线的第三部包括靠近第一部的第四部、靠近第二部的第五部、设置在第一部与第四部之间的第六部。多个存储器单元包括连接到第四部的第一存储器单元和连接到第五部的第二存储器单元。第二布线电连接在第六部与场效应晶体管的栅极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 驱动 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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