[发明专利]碳化硅场效应晶体管及其制备方法、碳化硅功率器件在审
| 申请号： | 202010203642.7 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN113497140A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 许恒宇;万彩萍 | 申请（专利权）人： | 江苏中科汉韵半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;胡影 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅场效应晶体管及其制备方法、碳化硅功率器件，所述晶体管包括：上表面开设有U型槽栅的外延片，位于所述外延片下表面的漏极，包覆所述U型槽栅内壁的氧化膜，位于所述U型槽栅内的多晶硅栅，具有过孔的绝缘层，以及位于所述绝缘层之上的源极；所述外延片包括外延层和位于所述外延层下表面的衬底，所述外延层形成有p‑阱区和n+阱区，所述源极通过所述过孔与所述p‑阱区和/或所述n+阱区电连接。本发明解决了制备晶体管时，在沟槽底部因氧化膜厚度不足或底部尖锐边角处氧化膜覆盖不足容易因电场集中产生栅氧击穿，导致碳化硅金属‑氧化物半导体场效应晶体管的栅氧可靠性低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 场效应 晶体管 及其 制备 方法 功率 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏中科汉韵半导体有限公司，未经江苏中科汉韵半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010203642.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
