[发明专利]一种掩膜版有效
申请号: | 202010206220.5 | 申请日: | 2020-03-23 |
公开(公告)号: | CN113433791B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 夏云升 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F9/00 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 孙宝海;阚梓瑄 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种掩膜版。该掩膜版包括第一边界区和多个曝光图案区,第一边界区包括围绕多个曝光图案区的区域;第一边界区中设置有多个第一套刻标记单元,每个第一套刻标记单元包括多个套刻标记;多个套刻标记沿相邻近的横向或纵向的第一边界线的延伸方向依次排列;多个第一套刻标记单元以掩膜版的中心线为对称轴两两对称,且对称的两个第一套刻标记单元形成一个套刻标记组;位于同一套刻标记组的两个第一套刻标记单元中的套刻标记的排列方向平行且相互错位。本发明实施例解决了现有的掩膜版布局限制了晶圆芯片数量的问题,实现了边界区面积的缩小,同时缩小了曝光场之间的间距,提高了晶圆的利用率,改善了芯片的生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 掩膜版 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备