[发明专利]存储器结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010206400.3 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113437073B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 江长明;黄宣榕;许哲睿;刘鍊尘 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/00 | 分类号： | H10B41/00;H10B41/30 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储器结构及其制造方法。一些实施例的存储器结构包括衬底、位于衬底上的穿隧介电层以及位于穿隧介电层上的浮置栅极，其中衬底包含的源极区域和漏极区域分别位于浮置栅极的相对两侧。一些实施例的存储器结构还包括位于浮置栅极上的栅间介电层，以及位于栅间介电层上的控制栅极。一些实施例的存储器结构还包括埋置于浮置栅极内的一掺杂区，且此掺杂区的侧壁暴露于浮置栅极的侧壁，其中掺杂区与栅间介电层彼此相隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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