[发明专利]太阳能单电池和太阳能电池组件在审
申请号: | 202010206479.X | 申请日: | 2020-03-23 |
公开(公告)号: | CN111739955A | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 上山知纪 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L31/0288 | 分类号: | H01L31/0288;H01L31/0376;H01L31/0475;H01L31/0747 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种具有改善了光电转换特性的异质结结构的太阳能单电池。太阳能单电池(1)包括:晶体类的硅基片(10);形成在硅基片(10)的主面上的、含有磷作为杂质的P掺杂硅氧化物层(50);非晶硅层(60),其具有形成在P掺杂硅氧化物层(50)上的本征非晶硅层(61)、和形成在本征非晶硅层(61)上的含有p型掺杂剂的p型非晶硅层(62)。而且,本征非晶硅层(61)含有p型掺杂剂,本征非晶硅层(61)的厚度方向上的p型掺杂剂的浓度具有比P掺杂硅氧化物层(50)与本征非晶硅层(61)的界面上的p型掺杂剂的浓度高的分布。 | ||
搜索关键词: | 太阳能 电池 太阳能电池 组件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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