[发明专利]相变存储器的形成方法在审
| 申请号： | 202010206831.X | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN111540828A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 廖昱程;刘峻志;张雄世;张明丰;陈圣元 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 223300 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种相变存储器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有底电极；形成覆盖所述底电极表面的第一介电层；在所述第一介电层内形成位于所述底电极上方的第一开口；在所述第一开口内填充牺牲层，所述牺牲层内形成有孔洞；刻蚀所述牺牲层，至所述孔洞的顶部以下，暴露出所述孔洞；沿所述孔洞的开口刻蚀所述第一开口底部的第一介电层至所述底电极表面，形成位于所述第一开口下方的第二开口；形成填满所述第二开口的第二相变层和填满第一开口的第一相变层；对所述第一介电层和第一相变层进行平坦化，至暴露出所述第二相变层；在所述第二相变层表面形成顶电极。上述形成的相变存储器的功耗降低。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
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