[发明专利]一种大靶面探测器阵列式多级半导体制冷方法有效

专利信息
申请号: 202010207286.6 申请日: 2020-03-23
公开(公告)号: CN111403504B 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 王建立;陈涛;刘昌华;曹景太;李洪文;刘洋;张恒 申请(专利权)人: 长春长光奥闰光电科技有限公司
主分类号: H01L31/024 分类号: H01L31/024;H01L27/146
代理公司: 北京惠科金知识产权代理有限公司 11981 代理人: 任立晨
地址: 130000 吉林省长春市*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 一种大靶面探测器阵列式多级半导体制冷装置,涉及光电成像探测器真空制冷封装领域,解决现有探测器制冷装置结构复杂,体积较大,进而影响探测器的制冷效果等问题,包括大靶面探测器、冷板、阵列多级半导体制冷器和热沉;所述大靶面探测器与冷板之间采用高导热的环氧树脂胶粘接,所述阵列多级半导体制冷器冷端与冷板之间、阵列多级半导体制冷器热端与热沉之间均采用低温焊料焊接。本发明的阵列式多级半导体制冷为热电制冷方式,无噪声、无振动、不使用制冷剂,多级半导体可以实现探测器成像大温差的需求,阵列式半导体可以实现探测器发热量大的需求,本发明能够很好的应用在当前大靶面(像素6K×6K)CMOS探测器中。
搜索关键词: 一种 大靶面 探测器 阵列 多级 半导体 制冷 方法
【主权项】:
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