[发明专利]一种大靶面探测器阵列式多级半导体制冷方法有效
申请号: | 202010207286.6 | 申请日: | 2020-03-23 |
公开(公告)号: | CN111403504B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 王建立;陈涛;刘昌华;曹景太;李洪文;刘洋;张恒 | 申请(专利权)人: | 长春长光奥闰光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/024 | 分类号: | H01L31/024;H01L27/146 |
代理公司: | 北京惠科金知识产权代理有限公司 11981 | 代理人: | 任立晨 |
地址: | 130000 吉林省长春市*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种大靶面探测器阵列式多级半导体制冷装置,涉及光电成像探测器真空制冷封装领域,解决现有探测器制冷装置结构复杂,体积较大,进而影响探测器的制冷效果等问题,包括大靶面探测器、冷板、阵列多级半导体制冷器和热沉;所述大靶面探测器与冷板之间采用高导热的环氧树脂胶粘接,所述阵列多级半导体制冷器冷端与冷板之间、阵列多级半导体制冷器热端与热沉之间均采用低温焊料焊接。本发明的阵列式多级半导体制冷为热电制冷方式,无噪声、无振动、不使用制冷剂,多级半导体可以实现探测器成像大温差的需求,阵列式半导体可以实现探测器发热量大的需求,本发明能够很好的应用在当前大靶面(像素6K×6K)CMOS探测器中。 | ||
搜索关键词: | 一种 大靶面 探测器 阵列 多级 半导体 制冷 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春长光奥闰光电科技有限公司,未经长春长光奥闰光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010207286.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法
- 下一篇:基于声学成像的故障检测系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的