[发明专利]一种铌酸银基无铅反铁电储能薄膜及其制备方法

摘要

本发明提供了一种铌酸银基无铅反铁电储能薄膜及其制备方法，采用磁控溅射法在基片上外延生长一层La0.5Sr0.5CoO3薄膜底电极，然后采用脉冲激光沉积法在所述La0.5Sr0.5CoO3薄膜底电极上外延生长一层AgNbO3薄膜，之后在所述AgNbO3薄膜上生长一层La0.5Sr0.5CoO3薄膜上电极，最后在La0.5Sr0.5CoO3薄膜上电极上制备一层金属膜电极；其中，所述AgNbO3薄膜的厚度为100~800nm。本发明采用脉冲激光沉积技术使ANO薄膜外延生长在LSCO底电极上，相比于ANO块材，ANO外延薄膜的介电击穿强度和储能密度得到显著提高。同时极大的减小了ANO的使用成本以及占用空间，使其在大规模集成电路中有广泛的应用潜力。