[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202010209788.2 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113437149B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间；位于所述衬底第二区内的漂移区，所述漂移区向所述衬底的第一区与第三区内延伸；位于所述衬底第一区上的第一漏掺杂层；位于所述衬底第三区上的第二漏掺杂层；位于所述第一漏掺杂层上的第一沟道柱，第一沟道柱内掺杂有第一离子；位于所述第二漏掺杂层上的第二沟道柱，第二沟道柱内掺杂有第二离子，第二离子与第一离子类型相反；位于所述第一沟道柱侧壁表面的栅极结构。本发明能够有效的减小最终形成的半导体结构的设计尺寸，提高半导体结构中的器件密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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