[发明专利]具有负载晶体管和感测晶体管的晶体管布置在审

专利信息
申请号: 202010211133.9 申请日: 2020-03-20
公开(公告)号: CN111739886A 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: A.芬尼;C.M.博扬恰努 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/088;G01R19/00;G01R31/26
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 刘书航;申屠伟进
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了具有负载晶体管和感测晶体管的晶体管布置。公开了晶体管布置和具有晶体管布置的电子电路。晶体管布置包括:漂移与漏极区(10),其被布置在半导体本体(100)中并且连接到漏极节点(D);至少一个负载晶体管单元(201),其包括集成在半导体本体(100)的第一有源区(110)中的源极区(211);至少一个感测晶体管单元(202),其包括集成在半导体本体(100)的第二有源区(120)中的源极区(212);第一源极节点(S1),其电耦合到至少一个负载晶体管单元(201)的源极区(211);第二源极节点(S2),其电耦合到至少一个感测晶体管单元(202)的源极区(212);以及补偿电阻器(40),其被连接在至少一个感测晶体管单元(202)的源极区(212)和第二源极节点(S2)之间。补偿电阻器(40)被集成在半导体本体(100)中并且包括电阻导体(41),并且电阻导体(41)包括掺杂的半导体材料。
搜索关键词: 具有 负载 晶体管 布置
【主权项】:
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