[发明专利]存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010211772.5 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111403410B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 徐伟;黄攀;夏季;陈金星;范光龙;周文斌 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器及制备方法，该方法包括：在半导体衬底的正面形成叠层结构，并形成贯穿的沟道结构；在叠层结构上形成局部电介质层；形成贯穿局部电介质层的沟道局部接触；形成贯穿局部电介质层及叠层结构的栅极间隙，基于栅极间隙将栅线牺牲层置换为栅电极层，并在栅极间隙中填充间隙绝缘层；在沟道局部接触的上端形成后段制程互连结构，并基于后段制程互连结构键合外围电路晶圆；在半导体衬底的背面形成绝缘盖层，并于栅极间隙正对区域形成贯穿绝缘盖层的狭缝局部接触窗；填充狭缝局部接触窗，以形成狭缝局部接触。有效解决了狭缝结构对C1CH与沟道结构的对准影响，直接规避了正面狭缝结构(GL)与狭缝局部接触(C1ACS)之间的对准问题。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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