[发明专利]封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 202010212009.4 申请日: 2020-03-24
公开(公告)号: CN113130464B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 张简上煜;林南君;徐宏欣 申请(专利权)人: 力成科技股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L25/18;H01L23/535;H01L23/31;H01L21/98
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 张娜;刘芳
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种封装结构及其制造方法,所述封装结构包括桥接芯片、硅穿孔芯片、第一模封体、第一有源芯片、第二有源芯片、第二模封体以及重布线路结构。第一模封体覆盖硅穿孔芯片及桥接芯片。第一有源芯片电连接于桥接芯片及硅穿孔芯片。第二有源芯片电连接于桥接芯片。第二模封体覆盖第一有源芯片及第二有源芯片。重布线路结构电连接于硅穿孔芯片。硅穿孔芯片位在第一有源芯片及重布线路结构之间。
搜索关键词: 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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