[发明专利]一种FDSOI器件的形成方法有效
| 申请号： | 202010212526.1 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111403288B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 雷海波;田明;宋洋;廖端泉 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种FDSOI器件的形成方法，提供包括HV区域的SOI晶圆，该HV区域包括硅基底、位于硅基底上的埋氧层；位于埋氧层上的单晶硅层；去除HV区域上的单晶硅层；在硅基底中进行离子注入形成阱；在HV区域上定义栅氧化层的宽度，同时定义源、漏区；去除源、漏区表面的所述埋氧层，并在源、漏区表面外延生长硅至栅氧化层的高度；在栅氧化层下方的阱中形成STI区域；在源、漏区掺杂形成漂移区；在栅氧化层上形成栅极结构。本发明利用FDSOI的氧化硅层，制作出可以承受中压和高压的区域，此区域可以用来做器件ESD保护，防止器件失效，同时此区域也可以用来作为中压或者高压工作区域，提高电路的承压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fdsoi 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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