[发明专利]一种低温制备碳化硅外延用衬底的方法

摘要

本发明提供了一种低温制备超薄碳化硅外延用衬底的方法，包括如下步骤：S1、在基底表面涂履碳化硅层，得到第一结构体；S2、将所述第一结构体加热至800～1000℃，得到第二结构体；S3、将所述第二结构体中加热后的碳化硅层的表面同时进行刻蚀和光照催化，得到第三结构体；所述刻蚀的气体为氯化氢、H2、SF6和O2；S4、将所述第三结构体中刻蚀和光照催化后的碳化硅层的表面进行激光脉冲冲击，得到第四结构体；S5、将所述第四结构体进行后处理，得到碳化硅外延用衬底。本发明对碳化硅层光照催化并配合氯化氢、H2、SF6和O2刻蚀，加速衬底活性，能低温快速流化；激光脉冲冲击，使衬底表面的杂质快速移除，降低衬底厚度。