[发明专利]一种提高体约束鳍型结构闪存单元耦合率的器件结构有效
| 申请号： | 202010213145.5 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111403393B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 田志;李娟娟;邵华;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提高体约束鳍型结构闪存单元耦合率的器件结构，凸出于有源区表面平行分布的多个鳍结构；鳍结构的左右两个侧壁及顶部覆盖有浮栅，覆盖部位为沿鳍结构长度方向的一部分；覆盖部分为分散结构；分散结构由自下而上多个等间隔分布的叠层组成；并且相邻两个鳍结构之间各自的侧壁共用一个分散结构。本发明的鳍型结构可以增加相邻浮栅极之间的距离，降低之间的耦合电容，降低相互单元之间的互扰，增加耦合率。有利于增加漏极电压，提高编程速度；有利于进一步降低栅极电压。结合约束鳍型结构的高编程效率可以为后续的闪存单元继续缩减提供更多的优化选择。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 约束 结构 闪存 单元 耦合 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010213145.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：金属端子及其制作方法
- 下一篇：一种无人机通信质量的优化方法及系统
