[发明专利]一种PMOS半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010213182.6 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111403484A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 黄秋铭 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种PMOS半导体器件及其制备方法，在半导体基底上覆盖一掩膜层并图案化，刻蚀半导体基底形成凹槽；在凹槽内沉积电介质层，填充凹槽形成栅极；覆盖一层氮化物病刻蚀半导体基底，在栅极两侧形成纵截面为正六边形的外延区，外延区的上表面与半导体基底上表面相齐平；在外延区内形成外延层；去除掩膜层以及氮化物，将栅极的一部分暴露于半导体基底上表面；在暴露的栅极的两侧形成侧墙。本发明采用嵌入式栅极结构，使栅极底部沟道与SiGe正六边形截面的尖角应力最大点处于同一平面，提高了沟道载流子的迁移率，提高了器件性能。同时本发明相比传统工艺省去了制作多晶硅伪栅极及去除伪栅极的工艺流程，简化了工艺步骤，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pmos 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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