[发明专利]一种高电压单晶低钴三元正极材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高电压单晶低钴三元正极材料及其制备方法。所述高电压单晶低钴三元正极材料，包括基体和包覆在基体表面的包覆层，所述基体为低钴三元正极材料LiNixCoyMn1‑x‑yO2，其中，0.6x0.8，0.05≤y≤0.10；所述包覆层为MBO玻璃材料，其中M为Li、Ti或Al。本发明通过湿法包覆工艺在低钴三元正极材料LiNixCoyMn1‑x‑yO2表面包覆均匀的MBO玻璃材料，在循环过程中可有效阻止电解液和正极材料表面的直接接触，抑制晶体结构的改变，减少了表面金属离子的溶解，提高材料与电解液在高电压下的稳定性。本发明的制备工艺简单，实用性强，可批量生产。