[发明专利]晶体管器件

摘要

公开了一种晶体管器件，其包括：多个晶体管单元，每个晶体管单元包括在半导体主体的第一区中的第一掺杂类型的源极区、第二掺杂类型的主体区和第一掺杂类型的漂移区、以及通过栅极电介质与主体区介电绝缘的栅电极；栅极导体，其布置在半导体主体的第二区的顶部上并且电连接到多个晶体管单元的每一个的栅电极；源极导体，其布置在半导体主体的第一区的顶部上并且连接到多个晶体管单元中的每一个的源极区和主体区；以及第二掺杂类型的放电区，其布置在半导体主体中的第二区中并且至少部分地位于栅极导体下方。放电区包括至少一个较低剂量部分，其中掺杂剂量低于放电区的其他部分中的最小掺杂剂量，其中至少一个较低剂量部分与栅极导体的拐角相关联。