[发明专利]基于Ga2

摘要

本发明公开了一种基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，衬底材料上形成Ga2O3/CuI异质PN结，所述Ga2O3/CuI异质PN结包括设置在衬底材料上的N型Ga2O3层以及设置在该Ga2O3层部分区域上的P型CuI层；在所述CuI层上形成正极，在所述Ga2O3层的另外区域上形成负极；当一定波长的紫外光照射所述Ga2O3/CuI异质PN结时，所述正极和负极之间将会产生光生载流子，以此实现紫外探测。采用本发明的技术方案，具有如下优点：(1)结构简单，工艺成本低。(2)Ga2O3和CuI同为宽禁带半导体，所以该器件为日光盲紫外探测器，无需加滤光片。(3)光生空穴和电子的瞬间分离，可以增加光生载流子的寿命，提高探测性能。