[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种可以在抑制正向电流电压特性及正向击穿电流的下降以及元件面积的扩大的同时提高反向击穿耐压的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：利用PN接合的二极管元件，在具有P型或N型的第一导电型的半导体基板(1)的表面，包括具有第一导电型的高浓度第一导电型杂质区域(6)、具有与第一导电型相反的导电型的第二导电型的高浓度第二导电型杂质区域(5)、以及由高浓度第一导电型杂质区域与高浓度第二导电型杂质区域夹着的元件分离区域(2)；以及浮游层(3)，在半导体基板的高浓度第二导电型杂质区域的下方与高浓度第二导电型杂质区域隔开且具有第二导电型。