[发明专利]紫外LED外延结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010217411.1 申请日: 2020-03-25
公开(公告)号: CN111403568A 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 刘锐森;蓝文新;刘召忠;林辉;杨小利 申请(专利权)人: 江西新正耀光学研究院有限公司
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14;H01L33/04;H01L33/00
代理公司: 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 代理人: 于淼
地址: 341700 江西省赣州*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 本申请提供一种紫外LED外延结构及其制备方法,涉及发光二极管领域,所述外延结构包括:衬底、第一AlN层、第二AlN层、N型AlaGa1‑aN欧姆接触层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源层、复合电子阻挡层、P型AldGa1‑dN过渡层和P型GaN欧姆接触层。由于复合电子阻挡层的每个周期中插入有第一delta‑Mg层和第二delta‑Mg层,因而可以显著提高空穴浓度;此外,复合电子阻挡层是由第一子层、第二子层、第三子层和第四子层交叠生长m个周期后得到的超晶格结构,能够有效增加电子阻挡层的电子阻挡能力,使更多的载流子在多量子阱发光区辐射复合,大大提高了紫外LED的光输出功率。
搜索关键词: 紫外 led 外延 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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