[发明专利]一种高压LED芯片结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202010217457.3 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111370544A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 刘英策;刘伟;邬新根;周弘毅;黄瑄 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/62;H01L33/64;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 温可睿 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请提供一种高压LED芯片结构及其制作方法，所述高压LED芯片结构，包括多个相互绝缘的LED芯粒，以及电性连接LED芯粒，实现多个LED芯粒串联的连接部，其中，连接部包括连接电极和过渡电极，在第一方向上，连接电极的宽度大于第一扩展电极的宽度，而过渡电极的宽度由连接电极向第一扩展电极的方向逐渐减小。也即通过设置过渡电极，使得连接电极和第一扩展电极之间的宽度变化逐渐变小，而非突然发生变化，从而避免热量在宽度突变的位置发生积聚，造成高压LED芯片结构在使用过程中热量积聚发生烧毁的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 led 芯片 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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