[发明专利]一种PVT法生长高质量晶体的装置有效
| 申请号： | 202010217926.1 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111321461B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 赵丽丽;袁文博;张胜涛;范国峰 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36;C30B29/40 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 李晓敏 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种PVT法生长高质量晶体的装置，属于氮化铝或碳化硅晶体生长技术领域。提高原料利用率，保证原料升华的蒸气中组分比率及压力，并解决了晶体固定及拆卸的困难，避免了晶体内部应力的产生，得到高质量晶体。包括坩埚体、承托盘、轴、过滤板、坩埚盖和籽晶托，埚体的上部可拆卸安装有籽晶托，籽晶托的上部可拆卸安装有坩埚盖，过滤板位于坩埚体的内部，承托盘滑动安装于坩埚体的内部，轴穿过承托盘与过滤板连接；坩埚体包括生长室和粉料室，生长室位于粉料室的上侧，生长室内安装有过滤板，承托盘滑动安装于粉料室内，粉料室的上部为圆台形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pvt 生长 质量 晶体 装置 | ||
【主权项】：
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