[发明专利]一种存储器件的结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010218012.7 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111403417B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 吕震宇 | 申请（专利权）人： | 无锡舜铭存储科技有限公司 |
| 主分类号： | H10B51/30 | 分类号： | H10B51/30;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器件的结构及其制造方法。存储器件的制造方法包括：在衬底上形成第一电极层；通过原位沉积真空系统，在第一电极层上依次形成第一应力调节层、铁电材料层和第二应力调节层，包括：在第一沉积腔进行第一应力调节层的沉积，通过传送模块在真空状态下将所述衬底从第一沉积腔传送到第二沉积腔，在第二沉积腔进行铁电材料层的沉积，通过传送模块在真空状态下将所述衬底从第二沉积腔传送到第一沉积腔，以及在第一沉积腔进行第二应力调节层的沉积；在第二应力调节层上形成第二电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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