[发明专利]一种洋葱结构的高纯球形纳米二氧化硅的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010219528.3 申请日: 2020-03-25
公开(公告)号: CN111204771B 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 魏奎先;马文会;王杰 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C01B33/18 分类号: C01B33/18
代理公司: 昆明合众智信知识产权事务所 53113 代理人: 张玺
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明涉及一种洋葱结构的高纯球形纳米二氧化硅的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明将高纯二氧化硅和高纯碳混合均匀置于加热反应器中,在温度为1500~2200℃下进行碳热还原反应得到SiO和CO的混合气体以及底层硅熔体;利用气体捕集装置将SiO和CO混合气体导入冷凝管道中,同时将过量氧气匀速通入冷凝管内与SiO和CO混合气体反应生成高纯球形纳米SiO2核和CO2;控制冷凝管道的温度梯度,调控高纯球形纳米SiO2核外层SiO2生长的层数和粒度得到洋葱结构的高纯球形纳米SiO2;气固分离洋葱结构的高纯球形纳米SiO2和CO2气体。本发明工艺流程短、操作简单、经济效益高、节能环保,为高纯球形纳米二氧化硅的大规模低成本制备提供了可靠的技术途径。
搜索关键词: 一种 洋葱 结构 高纯 球形 纳米 二氧化硅 制备 方法
【主权项】:
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