[发明专利]3D存储器件及其制造方法

摘要

本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该制造方法包括：在具有多个凹槽的衬底上形成停止层和牺牲层，每个凹槽被牺牲层填充，衬底与牺牲层被停止层隔开；在牺牲层上形成叠层结构；形成穿过叠层结构的沟道柱，沟道柱向衬底方向延伸，沟道柱的侧壁与牺牲层接触，沟道柱包括沟道层；形成多个栅线隙，每个栅线隙向衬底方向延伸至牺牲层内；经多个栅线隙依次去除牺牲层和停止层，以便于在叠层结构与衬底之间形成第一间隙，沟道柱的部分侧壁被第一间隙露出；经第一间隙去除沟道柱的部分侧壁，以使部分沟道层被露出；以及在第一间隙中形成外延层，沟道层经外延层与衬底电连接，每个栅线隙分别与相应的凹槽的位置对应。