[发明专利]包括混合像素的深度传感器在审
| 申请号： | 202010221083.2 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN112083439A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 金永燦;陈暎究;林茂燮;权容铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G01S17/894 | 分类号： | G01S17/894 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨姗 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种包括像素的深度传感器。所述像素包括：光电晶体管；第一转移晶体管，连接到所述光电晶体管；第一浮动扩散区域，连接到所述第一转移晶体管；第二转移晶体管，连接到所述光电晶体管；存储元件，连接到所述第二转移晶体管；第三转移晶体管，连接到所述存储元件；以及第二浮动扩散区域，连接到所述第三转移晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 混合 像素 深度 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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