[发明专利]涂覆蒸发基底和产生至少部分封装的基底的方法，其装置和产品在审
| 申请号： | 202010223890.8 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111748796A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 马尔科·普达斯;尼库·奥克萨拉 | 申请（专利权）人： | 皮考逊公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/52;A61K9/28;A61K47/02 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 王晖;刘书芝 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及涂覆蒸发基底和产生至少部分封装的基底的方法，其装置和产品。提供了一种用于涂覆蒸发基底的方法和装置，其中当所述基底经历从基本上液相到气态相的相变的时间期间，膜涂层12沉积在基底10的至少一部分上。在蒸发基底材料的至少一部分时形成的气态物质101当经历在气态相中化学沉积反应时产生微粒11，所述微粒11形成至少一个涂层以产生膜涂层12。 | ||
| 搜索关键词： | 蒸发 基底 产生 至少 部分 封装 方法 装置 产品 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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