[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010224063.0 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111755518A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 吉村充弘 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置及其制造方法。半导体装置(100)具备：有源区(A)，其形成有纵型晶体管，该纵型晶体管在设置于半导体衬底(140)的沟槽(104)内具有沟槽栅极(106)；和场区(B)，其包围有源区(A)，在所述半导体衬底正面上的场绝缘膜上形成有保护二极管(117)。沟槽栅极(106)由第1多晶硅层构成，具有：埋入部分，其被埋入沟槽(104)内部；和延伸部(113a)，其与埋入部分连接并在半导体衬底(140)正面上延伸，保护二极管(117)由膜厚比第1多晶硅层厚的第2多晶硅层构成。在延伸部(113a)上形成有由第2多晶硅层构成的重叠部(113b)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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