[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010224167.1 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113451132A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 金吉松;亚伯拉罕·庾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成栅极结构、第一侧墙和第二侧墙；以第一侧墙和第二侧墙为掩膜，在衬底内形成源漏开口；去除第二侧墙；对源漏开口进行离子注入，在源漏开口侧壁和底部的衬底内形成抑制层，抑制层内掺杂有第一离子；在源漏开口内形成源漏掺杂层。通过先形成第二侧墙和源漏开口，在形成源漏开口之后去除第二侧墙，以此来增大第一离子注入时的注入角度，使得注入的第一离子较多的扩散至源漏开口侧壁对应的衬底内，以此增大抑制层的包围面积，在后续的激活退火处理中，使得源漏掺杂层内的第二离子能够较大区域范围的扩散，进而使得最终形成的源漏掺杂区的面积增大，提升最终形成的半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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