[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置在审
| 申请号： | 202010224348.4 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN112071915A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 大田裕之 | 申请（专利权）人： | 堺显示器制品株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/34;H01L27/12;H01L27/15;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 王娟 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的薄膜晶体管的上部绝缘层包含：第一边缘区域，其位于栅极电极的第一侧面部的附近，且其距氧化物半导体层的上表面的高度小于栅极电极的上表面的高度；以及第二边缘区域，其位于栅极电极的第二侧面部的附近，且其距氧化物半导体层的上表面的高度小于栅极电极的上表面的高度，上部绝缘层具有多孔质绝缘体层，多孔质绝缘体层包含有配置于第一边缘区域的第一部分和配置于第二边缘区域的第二部分，多孔质绝缘体层的第一部分与氧化物半导体层的第一区域的至少一部分接触，多孔质绝缘体层的第二部分与氧化物半导体层的第二区域的至少一部分接触。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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