[发明专利]垂直存储器装置在审

专利信息
申请号: 202010227760.1 申请日: 2020-03-27
公开(公告)号: CN112117279A 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 千志成;白石千 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11524 分类号: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L23/538;H01L21/768
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种垂直存储器装置,所述垂直存储器装置包括位于基底上的第一结构。第一结构包括在垂直于基底的上表面的竖直方向上彼此间隔开以形成多个层的栅极图案。第二结构连接到第一结构。第二结构包括电连接到所述多个层中的相应层的栅极图案的垫图案。沟道结构穿过栅极图案。第一接触插塞穿过第二结构,并且与所述多个层中的一个层的垫图案电连接。第一接触插塞与其他层的栅极图案电绝缘。在沟道结构的侧壁和第一接触插塞的侧壁中的每者处包括至少一个弯曲部分。
搜索关键词: 垂直 存储器 装置
【主权项】:
暂无信息
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