[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010227927.4 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111755596A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 小川洋平;上村纮崇 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;闫小龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置（1A）具备：半导体衬底（2）；包含磁传感部（3a）且设置在半导体衬底（2）的立式霍尔元件（3）；以及在半导体衬底（2）的表面侧与磁传感部（3a）分离设置的励磁布线（4），励磁布线（4）由多次环绕而成的单一布线构成，励磁布线（4）具有：多个主布线部（4A），其从与半导体衬底（2）的表面正交的方向俯视观察下，在与磁传感部（3a）重合的重叠区域互相分离且并列配置；以及副布线部（4B），其将多个主布线部（4A）各自互相串联连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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