[发明专利]一种晶圆加热装置在审
| 申请号： | 202010228133.X | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111415887A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 王伟;陈胜华 | 申请（专利权）人： | 宁波润华全芯微电子设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 宁波高新区永创智诚专利代理事务所(普通合伙) 33264 | 代理人： | 钱照建 |
| 地址： | 315400 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆加热装置，涉及半导体技术领域，包括控制模块和多分区热盘，多分区热盘包括第一分区和第二分区；第一分区包括第一加热模块和第一温度检测模块，第一温度检测模块用于检测第一分区的温度值，并将检测到的第一分区温度值发送给控制模块，第一加热模块用于加热第一分区；第二分区包括第二加热模块和第二温度检测模块，第二温度检测模块用于检测第二分区的温度值，并将检测到的第二分区温度值发送给控制模块，第二加热模块用于加热第二分区；与现有技术相比，本发明使得各个分区之间的温度差一直处在合理范围内，使得热盘温度均匀，满足了高精度晶圆的加工需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加热 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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