[发明专利]一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法、装置在审
| 申请号： | 202010229918.9 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111460751A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 郭红霞;柳奕天;潘霄宇;周益春;张凤祁;张文首;顾朝桥;琚安安;张鸿;钟向丽;廖敏 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G01T1/167 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 陈超 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法、装置，其中，SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法，包括：获取实体SiC MOSFET器件的参数信息；根据所述参数信息利用SRIM构建模拟SiC MOSFET器件；利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，得到对应有质子能量的损伤信息集；根据所述对应有质子能量的损伤信息集分析所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。该方法所需要的时间少，资金少，无需花费大量时间精力进行实际操作；得出的实验结果直观且清晰，能准确判断质子对器件产生的影响，并且进行对比分析，将实验与测试结合在一起，能够准确得出能量损失等参数，对实验结果进行准确的分析。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 器件 损伤 机理 分析 方法 装置 | ||
【主权项】：
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