[发明专利]三维存储器及其制备方法、电子设备有效
| 申请号： | 202010233581.9 | 申请日： | 2020-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN111341774B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 吴林春;张坤;周文犀;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/27 | 分类号： | H10B41/27;H10B41/35;H10B43/27;H10B43/35 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了三维存储器及其制备方法、电子设备。其中，制备方法包括提供衬底。在衬底的一侧形成第一叠层结构。形成贯穿第一叠层结构的多个第一栅缝隙。形成填充第一栅缝隙的刻蚀阻挡层。在第一叠层结构和刻蚀阻挡层上形成第二叠层结构。形成贯穿第二叠层结构的多个第二栅缝隙。去除刻蚀阻挡层，以使得第一栅缝隙与第二栅缝隙连通形成栅缝隙。通过将相关技术中一步形成的栅缝隙，变成分两步法进行制备。由于靠近底部的第一栅缝隙是单独制备的，因此无论叠层结构的厚度有多大，即无论第二栅缝隙的深度有多大，均不会影响到底部的第一栅缝隙的结构。因此，本申请提供的形成方法，可降低栅缝隙的形成难度，提高栅缝隙深度的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制备 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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