[发明专利]热预算自动控制方法及其自动控制系统在审
| 申请号： | 202010233890.6 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111403308A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李中华;冷江华;田明 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种热预算自动控制方法包括设定侧墙厚度目标值、合格区间及热预算容忍区间；计算侧墙厚度平均值及不同侧墙环状区域内侧墙厚度值与侧墙厚度目标值的偏差；判断侧墙厚度平均值与侧墙厚度目标值的第一偏差是否在侧墙厚度合格区间内，若不在侧墙厚度合格区间内则报废该片硅片；判断侧墙环状区域内侧墙厚度值与侧墙厚度目标值的第二偏差是否在热预算容忍区间内；若第二偏差在热预算容忍区间内保持热预算温度；若第二偏差为负减少热预算温度；若第二偏差为正增加热预算温度；根据调整后的各侧墙环状区域热预算温度执行快速热退火。本发明还公开了一种热预算自动控制系统。本发明能实现硅片器件性能的均匀性，进而能大规模地提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 预算 自动控制 方法 及其 自动控制系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010233890.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
