[发明专利]前层缺陷透射样品制取方法在审
| 申请号： | 202010233935.X | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111380877A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 刘殳平 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04;G01N1/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种前层缺陷透射样品制取方法，其用于FIB机台，包括选择保护层；在FIB机台的E‑Beam下以缺陷点为原点制作第一标记；在I‑Beam模式下找到第一标记，以原点中心对称制作两个第二标记；在每个第二标记一侧制作第一个第三标记，该第三标记顶点位于第二标记上，且第三标记顶点与缺陷点中心之间大于第一预设距离；在每个第二标记另一侧对称位置制作第二个第三标记，且该第二个第三标记与第一个第三标记共用顶点；若不是当层缺陷能选择性的不镀I‑Beam，若为当前层缺陷则按预设参数镀I‑Beam；样品打薄完成前层缺陷透射样品。采用本发明不需要对比JDV图形能快速准确制取前层缺陷透射样品，节约了对比JDV图形的时间，大大降低了工作量，提高了工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 透射 样品 制取 方法 | ||
【主权项】：
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