[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010235485.8 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN112687665A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 吴俊毅;余振华;侯上勇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/98;H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/488 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括：第一晶片上芯片(CoW)器件，具有第一中介层及贴合到第一中介层的第一侧的第一管芯；第二晶片上芯片器件，具有第二中介层及贴合到第二中介层的第一侧的第二管芯，第二中介层与第一中介层在横向上间隔开；以及重布线结构，沿第一中介层的与所述第一中介层的第一侧相对的第二侧延伸，且沿第二中介层的与所述第二中介层的第一侧相对的第二侧延伸，所述重布线结构从第一晶片上芯片器件连续延伸到第二晶片上芯片器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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