[发明专利]铜锌锡硫薄膜材料的硒化装置和方法有效
申请号: | 202010236832.9 | 申请日: | 2020-03-30 |
公开(公告)号: | CN111416018B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 吴会觉;郭林宝;孟庆波;李冬梅;罗艳红;石将建 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 郭广迅 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种铜锌锡硫薄膜材料的硒化装置。本发明还提供一种铜锌锡硫薄膜材料的硒化方法,包括如下步骤:将硒源放置于硒源区的环形容器内,同时将待硒化的铜锌锡硫薄膜材料的预制膜放置到硒化反应区;然后,接好加热线和热电偶线,封闭舱体;接着用真空泵将舱体内空气抽净,并且将高压氮气补充进舱体,最后通过计算机控制系统控制舱体内的温度和压强,使得硒源受热形成的硒蒸汽通过气体处理区裂解为小分子硒蒸汽,然后向下进入硒化反应区并与所述预制膜发生硒化反应,进而实现对预制膜的硒化。本发明的装置和方法能够对硒蒸汽到达预制膜表面的时间和浓度进行精确控制,从而得到高质量铜锌锡硫硒结晶。 | ||
搜索关键词: | 铜锌锡硫 薄膜 材料 化装 方法 | ||
【主权项】:
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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