[发明专利]无缺陷高纯镍钒靶坯的制备方法及利用其制备得到的靶材在审
申请号: | 202010237387.8 | 申请日: | 2020-03-30 |
公开(公告)号: | CN111304606A | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;黄东长 | 申请(专利权)人: | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/35;C22F1/10;C22C19/03 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 王岩 |
地址: | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及无缺陷高纯镍钒靶坯的制备方法及利用其制备得到的靶材,所述方法包括如下步骤:(1)将高纯镍钒铸锭进行热等静压处理,然后进行锻造,得到锻造铸锭;(2)将步骤(1)得到的锻造铸锭依次进行第一退火、轧制‑回炉加热及第二退火,得到无缺陷高纯镍钒靶坯。本发明中,通过利用热等静压处理、锻造、退火及轧制等工艺的协同耦合效果,使得所得坯内部结构均匀、晶粒细小,内部无缺陷,符合半导体用的镍钒靶坯。 | ||
搜索关键词: | 缺陷 高纯 镍钒靶坯 制备 方法 利用 得到 | ||
【主权项】:
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