[发明专利]一种抗辐射加固的SOI CMOS总剂量辐射性能评估方法有效
| 申请号： | 202010237857.0 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111426930B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 吴建伟;洪根深;于宗光;顾祥;谢儒彬 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种抗辐射加固的SOI CMOS总剂量辐射性能评估方法，属于器件测试技术领域，方法包括：对于总剂量加固的SOI CMOS，漏极采用第一电压，源极、体极和前栅电极采用0V；将衬底subsrtate作为背栅，采用‑Vn～+Vn～‑Vn方向逐步扫描，获取正负向扫描过程中背栅的电流电压测试曲线；获取总剂量辐射时，辐射前后的背栅的电流电压测试曲线；根据正负向扫描过程中背栅的电流电压测试曲线，辐射前后的背栅的电流电压测试曲线以及预设对应关系，确定SOI CMOS的抗总剂量辐射性能。避免了现有技术中使用Co60伽马或者X‑Ray辐射试验时对所需器件进行封装，所需的费用和时间较多的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 加固 soi cmos 剂量 性能 评估 方法 | ||
【主权项】：
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