[发明专利]一种场效应管晶圆的表面处理和分立成品元件或大功率模块电路中单元电路加工方法在审
申请号: | 202010238250.4 | 申请日: | 2020-03-30 |
公开(公告)号: | CN111415873A | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 夏乾华 | 申请(专利权)人: | 鑫金微半导体(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 不用专用的大功率粗线径金属线键合设备,生产效率更高,并且可以减少生产设备投资。本发明提供一种大功率场效应管晶圆的表面处理和场效应管分立成品元件或SiP大功率模块电路中场效应管单元电路加工方法,通过在传统场效应管晶圆正面加镀银层处理,利用锡膏将场效应管晶圆正面的源极Source和金属导电铜带间,金属导电铜带和框架(Frame)的源极引线接点间用高温进行锡焊接。如此这样制作单独的场效应管分立成品元件或大功率SiP模块电路中场效应管单元电路,比传统大功率场效应管晶圆的源极引线用多条铝线或铝带用超声键合工艺处理的引线阻抗低,引线感抗小,具有更大的过电流能力和更好的高频性能,工作时发热量也更小,电气性能更加优异;并且锡焊工艺相对与金属线(带)键合工艺生产良品率高,对生产设备的依赖性更小,可以利用SMT贴片或固晶设备进行共线生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 场效应 管晶圆 表面 处理 分立 成品 元件 大功率 模块 电路 单元 加工 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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