[发明专利]用于半导体层的缺陷检测方法及系统在审
| 申请号： | 202010239140.X | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111337458A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 何乐平;陈伟钿;张永杰;周永昌 | 申请（专利权）人： | 创能动力科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/63 | 分类号： | G01N21/63;G01R31/265;H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 王媛 |
| 地址： | 中国香港新界大埔白石角*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 本发明公开用于半导体层的缺陷检测方法和系统。根据一实施例的缺陷检测方法包括提供半导体层，针对半导体层采集第一激发波长对应的第一光致发光强度值I1，针对半导体层采集第二激发波长对应的第二光致发光强度值I2，构建关于I1和I2的函数F，确定函数F的值，以指示半导体层的缺陷水平。本发明还提供用于半导体层的缺陷检测系统。根据本发明一个或多个实施例的方法和系统能够实现在半导体制造过程中的缺陷检测和分析、优化缺陷修复条件、提高产品良率、降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 缺陷 检测 方法 系统 | ||
【主权项】：
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