[发明专利]一种制备碳化硅致密复合材料的方法在审
申请号: | 202010239698.8 | 申请日: | 2020-03-30 |
公开(公告)号: | CN111411344A | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 于伟华;郭平春;王彬;刘淦;王新柱 | 申请(专利权)人: | 于伟华 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C23C16/455 |
代理公司: | 北京华识知识产权代理有限公司 11530 | 代理人: | 郑华丽 |
地址: | 221001 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及复合材料领域,具体涉及一种制备碳化硅致密复合材料的方法。一种制备碳化硅致密复合材料的方法,该方法包括:(1)材料清洗:将待沉积材料置于高纯水中超声清洗,之后干燥后待用;(2)表面除杂:将清洗后的待沉积材料经过高温将表面杂质形成金属卤化物升华除去;(3)沉积碳化硅:将除杂后的待沉积材料置于碳化硅沉积装置中,在不同温度下,向所述若干个保护罩内分别通入不同浓度的气体,通过化学气相沉积反应在待沉积材料表面进行不同程度的碳化硅的沉积;本发明解决了一个生产周期内,装置内需完成多个产品的碳化硅涂层沉积工作,且各产品的技术要求(例如碳化硅涂层厚度,表面结构,均匀性等)均不相同的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 碳化硅 致密 复合材料 方法 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的